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在讨论ZOV的制作之前，首先应该学习一下ZOV的导电机理，因为导电机理和微观形成机理是进行讨论和研究的基础。对此，作者推荐两篇论文，一篇是谭宜成博士的《ZnO压敏瓷主晶界高非线性形成机理》(1987年博士论文)。该文详细叙述了ZnO压敏瓷的研制过程，用热离子发射、热助场发射、场发射理论，解释了正反偏肖特基势垒的电压-电流特性，用FromRel-Poolt发射、遂道效应、热激发跃迁、空间电荷限制电流理论，解释了薄绝缘层中的电压-电流特性，提出了他的主晶界次晶模型。他对主晶界、次晶界的形成理论、形成过程及其对电性能的影响作了很详细的研究，尤其是对致密化过程的研究很有实用价值。

另一篇是《Zine Oxide Varistor(IEEE.ElectriealInsulatconMagazineD.CVOL1.91.P50)，该文叙述了从1968年Matsouka发明ZnO压敏电阻以来至1987年Suzuoki提出空间电荷引起的电流理论，这20年间压敏陶瓷导电机理的发展。详细叙述了8个模型：
①在富铋晶界层内建立的"空间电荷限制电流"模型；
②莱文逊（Levinson）、菲利普（Philip）提出的"晶界面处通过薄层的遂道效应"模型；
③Emtage和Einzinger提出的有ZnO相和富Bi晶间相异质结的"界面态肖特基势垒遂道效应"模型；
④Maham提出的"通过具有空穴形成的肖特基势垒遂道效应"模型，此模型提出了晶界处少数载流子（空穴）的重要性；
⑤Einzinger提出的"通过ZnO同质结构的遂道效应"模型，此模型指出了冷却时在晶界形成缺陷的热平衡的重要性；
⑥Pike提出的"空穴引起的穿透"模型，此模型指出了"由于空穴积聚使晶界处势垒降低造成了压敏陶瓷的高非线性，空穴是由于耗尽区的加速电子产生的，势垒的大小取决于体陷井和界面态"
⑦莱文逊（Levinson）、菲利普（Philip）提出的"有异质结的旁路效应"模型，此模型阐明了富铋晶界层在小电流区的重要作用，并假设了通过异质结和富铋晶界层的平行电流通路，此模型提出于1986年，至今仍在行业中沿用；
⑧Suzuoki提出的由ZnO相和富Bi2O3薄膜组成的"异质结外引起的空间电荷电流"模型。
压敏电阻作用

压敏电阻的最大特点是当加在它上面的电压低于它的阀值时，流过它的电流极小，相当于一只关死的阀门，当电压超过UN时，流过它的电流激增，相当于阀门打开。利用这一功能，可以抑制电路中经常出现的异常过电压，保护电路免受过电压的损害。通常压敏电阻在低电压下是高阻的，而超过一定电压后就会变成低阻态。它主要用于作过压保护和吸收浪涌电流。如过压漏电保护开关里就是用压敏电阻做敏感元件。

（1）标称电压(V)：指通过1mA直流电流时压敏电阻器两端的电压值。

（2）电压比：指压敏电阻器的电流为1mA时产生的电压值与压敏电阻器的电流为0.1mA时产生的电压值之比。

（3）最大限制电压(V)：指压敏电阻器两端所能承受的最高电压值。

（4）残压比：通过压敏电阻器的电流为某一值时，在它两端所产生的电压称为这一电流值的残压。残压比则是残压与标称电压之比。

（5）通流容量(kA)：通流容量也称通流量，是指在规定的条件（规定的时间间隔和次数，施加标准的冲击电流）下，允许通过压敏电阻器上的最大脉冲（峰值）电流值。

（6）漏电流(mA)：漏电流也称等待电流，是指压敏电阻器在规定的温度和最大直流电压下，流过压敏电阻器电流。

（7）电压温度系数：指在规定的温度范围（温度为20℃～70℃）内，压敏电阻器标称电压的变化率，即在通过压敏电阻器的电流保持恒定时，温度改变1℃时，压敏电阻器两端电压的相对变化。

（8）电流温度系数：指在压敏电阻器的两端电压保持恒定时，温度改变1℃时，流过压敏电阻器电流的相对变化。

（9）电压非线性系数：指压敏电阻器在给定的外加电压作用下，其静态电阻值与动态电阻值之比。

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