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北京派奇科技有限责任公司
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批发供应美国AT芯片AT45DB321D-SU现货供应AT45DB321D-SU特价销售
产品详细说明
现货供应AT45DB321D-SU ATEML全系列单片机特价优势 长期供货 原装现货
AT45DB321D-SU 产品技术参数资料
产品宽度 | 5.4mm |
产品长度 | 5.35mm |
产品高度 | 1.91mm |
供应商封装 | SOIC EIAJ |
典型操作电源电压 | 3.3V |
区段大小 | 64KByte x 64 |
同时读/写支持 | 无 |
地址总线宽度 | 1Bit |
块组织 | 对称 |
字数 | 4M |
安装 | 表面安装 |
密封块 | 无 |
密度 | 32MBit |
引脚数目 | 8 |
指令兼容 | 无 |
接口类型 | 串行-SPI |
支持 ECC | 无 |
支持消除中止/恢复模式 | 无 |
最大工作温度 | 85°C |
最大操作电流 | 15mA |
最大随机存取时间 | 6ns |
最小工作温度 | -40°C |
每字位数 | 8Bit |
结构 | 扇区 |
编程电压 | 2.7 → 3.6 |
编程电流 | 17mA |
计时类型 | 同步 |
通用闪存接口支持 | 无 |
页大小 | 512Byte |
页模式支持 | 无 |
批发供应美国AT存储芯片AT45DB321D-SU现货供应AT45DB321D-SU价销售
实单请致电:)
AT45DB321D-SU 产品概述
AT45DB321D-SU 特点
•供应单2.7V - 3.6V
•串行接口架构
•页编程操作
–单周期重新编程(擦除和编程)
– 8192页(528字节/页)主内存
可选页和块擦除操作
Two 528-Byte SRAM数据缓冲区–允许接收数据,同时重新编程
非易失性存储器
内部方案和控制计时器
快速页编程时间– 7 ms典型
120µs典型页面的缓冲区转换时间
低功耗
– 4 mA有效的读目前典型
– 3µ阿CMOS典型待机电流
13 MHz 最大时钟频率
Hardware Data Protection Feature
串行外设接口(SPI)兼容–模式0和3
CMOS和TTL兼容输入和输出
商业和工业温度范围
AT45DB321D-SU 说明
该AT45DB321是2.7-volt只,串行接口闪存合适的in-sys-
tem重新编程.其34,603,008内存bits被组织成8192页
528字节.除了主存储器,还包括两个AT45DB321
SRAM数据缓冲区的528字节.缓冲区允许接收的数据,而一
在主内存页面被重新编程.不同于传统的快闪备忘录,