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深圳市万国高科电子有限公司
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产品分类
供应美商亚柏Analog Power N沟道场效应管AMF920NE-T1-PF
产品详细说明
供应美商亚柏Analog Power N沟道场效应管AMF920NE-T1-PF
FET型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)@25°C：11A
功率-最大：3.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：DFN2*5-6PP
供应商设备封装：DFN2*5-6PP
包装：带卷(TR)
最小包装：3000/TR
| Part Number | Package | Configuration | Type | ESD Diode | VDS (V) | VGS (±V) | RDS(ON) (mΩ max) at VGS= | VGS(th) (max V) | Ciss (pF) | Qg (nC) | IDS (A) Max. | PD (W) Max. | |||||
| 10V | 4.5V | 2.5V | 1.8V | 25°C | 70°C | 25°C | 70°C | ||||||||||
| AMF920NE | DFN2X5-6PP | Dual | N | Yes | 20 | 12 | 22 | 28 | 9.2 | 11 | 8.5 | 3.5 | 1.8 | ||||
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| 具体铺位： | 深圳市福田区福强路4001号深圳市文化创意园306栋H馆四 楼 | 仓库位置： | 深圳市福田区都会电子商城2楼2C003 |
|---|---|---|---|
| 场地合同： | 已核查 | 核查时间： |
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