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北京宏科清源科技有限公司
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供应IRHNA67260 现货原装IR公司宇航级MOS管IRHNA67260
产品详细说明
IRHNA67260参数如下
IRHNA67164预辐照电气特性@ Tj = 25°C（除非另有说明）
参数BVDSSDrain-to-Source击穿电压∆BVDSS /∆T J击穿温度系数电压RDS（上）
静态Drain-to-Source通态电阻VGS(th)栅极阈值电压g fs正向跨导IDSS漏电流零电压门最小150——2.050 最大单位—0.17
测试条件VGS = 0V, ID = 1.0mA参考25°C, ID = 1.0mAVGS = 12V, ID = 49AÃVDS = VGS, ID = 1.0mAVDS = 15V, IDS = 49AÃVDS = 120V ,VGS=0VVDS = 120V,VGS = 0V, TJ = 125°CVGS = 20VVGS = -20VVGS = 12V, ID = 56AVDS = 75VVDD = 75V, ID = 56A,VGS = 12V, RG = 2.35ΩIGSSIGSSQgQ gsQ gdtd（上）trtd（关闭）tfLS + LDGate-to-Source泄漏前进Gate-to-Source反向泄漏总栅极电荷Gate-to-Source ChargeGate-to-Drain（'米勒）充电开机延迟时间上升时间关断延迟时间下降时间总电感nAnCnsnH测得的中心排水焊垫的源中心焊垫VGS = 0V, VDS = 25Vf = 1.0MHzf = 1.0MHz,开漏CissC ossC rssRg输入电容输出电容反向传输电容内部栅极电阻抗辐射
参数BVDSSDrain-to-Source击穿电压∆BVDSS /∆T J击穿温度系数电压RDS（上）
静态Drain-to-Source通态电阻VGS(th)栅极阈值电压g fs正向跨导IDSS漏电流零电压门最小150——2.050 最大单位—0.17
测试条件VGS = 0V, ID = 1.0mA参考25°C, ID = 1.0mAVGS = 12V, ID = 49AÃVDS = VGS, ID = 1.0mAVDS = 15V, IDS = 49AÃVDS = 120V ,VGS=0VVDS = 120V,VGS = 0V, TJ = 125°CVGS = 20VVGS = -20VVGS = 12V, ID = 56AVDS = 75VVDD = 75V, ID = 56A,VGS = 12V, RG = 2.35ΩIGSSIGSSQgQ gsQ gdtd（上）trtd（关闭）tfLS + LDGate-to-Source泄漏前进Gate-to-Source反向泄漏总栅极电荷Gate-to-Source ChargeGate-to-Drain（'米勒）充电开机延迟时间上升时间关断延迟时间下降时间总电感nAnCnsnH测得的中心排水焊垫的源中心焊垫VGS = 0V, VDS = 25Vf = 1.0MHzf = 1.0MHz,开漏CissC ossC rssRg输入电容输出电容反向传输电容内部栅极电阻抗辐射
功率MOSFET
表面贴装E HHH(SMD-2)
150V,N沟道
100K总剂量
IR国际整流器公司R6M技术提供空间应用提供一流的功率MOSFET.这些器件具有改善免疫单事件的影响（见），并已为特点有用的性能与线性能量转移
（让）高达90MeV / cm（毫克/ 2).他们的组合极低RDS（上）和更快的开关时间缩短功率损耗，提高功率密度在今天的高速开关应用，如DC-DC转换器和马达控制器.这些器件保留了所有的既定优势如电压控制MOSFET的，易于并联温度稳定性和电气参数
