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深圳市众达安科技有限公司
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产品分类
供应UT12N06高压MOSFET，UT12N06深圳现货，UT12N06价格
产品详细说明
UTC UT12N06 2安培，60伏特 N沟道功率MOSFET，UTC UT12N06是一个N通道模式下的功率MOSFET，UTC的先进技术，提供客户以最小的通态电阻非常高密度的单元设计，坚固耐用雪崩特性和不太重要的对齐步骤。
UTC UT12N06特点
VDS（五）=60V
ID=12A
RDS（ON）<0.10Ω@的VGS= 10V
RDS（ON）<0.12Ω@ V GS =5.0 V的
高开关速度
低栅极电荷
高压MOSFET选择技巧
高电压MOSFET技术在过去几年中经历了很大变化，给电源工程师带来了不少选择。只要提供有关不同技术的使用指南，就可以帮助工程师选择合适的部件以达成其应用的效率和成本目标。了解不同MOSFET部件的细微差别及不同开关电路中的应力，能够帮助工程师避免诸多问题。本文除介绍简单的导通阻抗RDS(on) 以及其它MOSFET相关元素之外，并会探讨更高电流密度与更快开关速度及的意义，提供使用更先进的MOSFET取代旧型MOSFET的经验法则，并探讨在设计中利用新型MOSFET来获得更低RDS(on) 与更低闸极电荷的指引。
