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深圳市誉德瑞电子有限公司
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ON Semiconductor NTJD1155LT1G分离式半导体产品，现货供应NTJD1155LT1G接受批量订货
- 产品价格：
- 电话咨询/ 1pcs
- 交易说明：
- 百分百原装正品现货，价格优势，提供技术支持
- 厂 家：
- ON Semiconductor
- 封 装：
- 原厂标准封装
- 批 号：
- 1149+
- 数 量：
- 22191
产品咨询直线：0755-83228232
产品详细说明
| 描述 | MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363 |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 175 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | 400mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NTJD1155LT1GOSTR |
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