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深圳市万和兴电子有限公司
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- 地址:深圳市福田区都会轩2801
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供应FDC3612,原装现货FDC3612
- 产品价格:
- ¥1.10/ 1pcs
- 交易说明:
- 进口原装现货,假一赔十!
- 配送说明:
- 专销仙童/AOS,可接受订货,价格优惠!
- 厂 家:
- FSC
- 封 装:
- SOT-163
- 批 号:
- 11+
- 数 量:
- 9000
产品咨询直线:0755-82533868
产品详细说明
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N Channel
汲极/源极击穿电压: 100 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 2.6 A
电阻汲极/源极 RDS(导通): 125 mOhms
配置: Single Quad Drain
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SuperSOT
封装: Reel
下降时间: 3.5 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) : 10 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1600 mW
上升时间: 3.5 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 23 ns
产品优势:
MOSFET在1960年由贝尔实验室(Bell Lab.)的D. Kahng和 Martin Atalla首次实作成功,这种元件的操作原理和1947年萧克莱(William Shockley)等人发明的双载子晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)截然不同,且因为制造成本低廉与使用面积较小、高整合度的优势,在大型积体电路(Large-Scale Integrated Circuits, LSI)或是超大型积体电路(Very Large-Scale Integrated Circuits, VLSI)的领域里,重要性远超过BJT。
近年来由于MOSFET元件的性能逐渐提升,除了传统上应用于诸如微处理器、微控制器等数位讯号处理的场合上,也有越来越多类比讯号处理的积体电路可以用MOSFET来实现,以下分别介绍这些应用。
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具体铺位: | 深圳市福田区都会轩2801 | 仓库位置: | 深圳市福田区振华路高科德电子市场A1877 |
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