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描述 | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
数据列表 | SP(P,I,A)11N60C3 |
产品培训模块 | CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
标准包装 | 500 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | CoolMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准型 |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 380 毫欧 @ 7A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 3.9V @ 500µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V |
功率 - 最大 | 125W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | PG-TO220-3 |
包装 | 散装 |
其它名称 | SP000013526SPP11N60C3BKSA1SPP11N60C3HKSA1SPP11N60C3INSPP11N60C3XSPP11N60C3XINSPP11N60C3XIN-NDSPP11N60C3XK |