- 深圳市捷美创芯电子科技有限公司
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12年
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| 描述 | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 数据列表 | SPB11N60C3 |
| 产品培训模块 | CoolMOS™ CP Switching BehaviorCoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
| 标准包装 | 1,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 380 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.9V @ 500µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SP000013519SPB11N60C3INTRSPB11N60C3XTSPB11N60C3XTINTRSPB11N60C3XTINTR-ND |
