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描述 | TRANSISTOR NPN BIPOLAR CHIP |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
数据列表 | AT-42000 |
标准包装 | 100 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | RF 晶体管 (BJT) |
系列 | - |
晶体管类型 | NPN |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 12V |
频率 - 转换 | 9GHz |
噪声系数(dB典型值@频率) | 1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz |
增益 | 10.5dB ~ 14dB |
功率 - 最大 | 600mW |
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 30 @ 35mA,8V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 80mA |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 12mm x 12mm x 6mm |
供应商设备封装 | - |
包装 | 托盘 |
其它名称 | 516-2368AT-42000-GP4-ND |