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35.2/ 1pcs
厂 家:
HKNVRAM
封 装:
DIP28
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11+
数 量:
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产品详细说明

动能世纪专业销售HK1225-7EQ/7B,动能世纪长期大批量供应HK1225-7EQ/7B

HK1225在WE(写使能)被禁止(high)且CE(片选)被选中(Low)且CE2(片选2)被选中(High)并且OE(读信号)被使能(Low)执行一次读循环。13个地址输入线(A0-A12)指定的唯一的地址定义将要被访问。最后输入信号稳定后8位数据输出驱动器将在tACC时序内得到有效数据。
HK1225为Vcc提供全部功能,当Vcc大于4.5伏或4.75伏,写保护为4.35伏或4.75伏。当Vcc掉电时保存数据,没有任何附加支持电路的需要。HK1225通常监视Vcc。如果支持电压降低,RAM自动写保护其本身。所有对RAM的输入变为“不接收”,所有输出为高电阻。当Vcc降低到大约3.0伏时,电源转换电路将用锂电源向RAM供电保存数据。电压升高时,当Vcc升高到大约3.0伏时,电压转换电路将外部Vcc与RAM连接。正常RAM操作在Vcc超过4.5伏或4.75伏后能够重新开始。
HK1225从宏空半导体出厂均保证满电量。运输及使用中的重力加速度不应超出1.5G否则影响寿命。
各脚对地电压 -0.3~5.0V
储存温度 -40℃~70℃
焊接温度 200℃不能超过5秒
操作温度 0℃~55℃ 准工业级0℃~70℃
工业级-40℃~70℃
注:长期暴露在工作在以上最大范围下将影响使用周期

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