- 深圳市捷美创芯电子科技有限公司
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12年
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| 描述 | MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 |
| RoHS | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 175 毫欧 @ 7.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 3.8W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装 | TO-262 |
| 包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRF9Z24NL |
