- 深圳市捷美创芯电子科技有限公司
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12年
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| 描述 | MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6 |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 数据列表 | UP04878G View All Specifications |
| 标准包装 | 8,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 12 欧姆 @ 10mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 1µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 12pF @ 3V |
| 功率 - 最大 | 125mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SSMini6-F2 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | UP04878G0LTR |
