- 深圳市捷美创芯电子科技有限公司
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12年
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| 描述 | MOSFET N/P 20V/8V 630MA SOT-363 |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V，8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 630mA，775mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 375 毫欧 @ 630mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 46pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 270mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NTJD4105CT1GOSNTJD4105CT1GOS-NDNTJD4105CT1GOSTR |
