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描述 | MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 80 毫欧 @ 4A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
功率 - 最大 | 1.9W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 |
包装 | 带卷 (TR) |
其它名称 | SI7450DP-T1-GE3TR |