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描述 | MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC |
RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 5.5 毫欧 @ 17A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 600mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 30nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
功率 - 最大 | 1.6W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-SOICN |
包装 | 带卷 (TR) |