- 深圳市捷美创芯电子科技有限公司
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12年
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| 描述 | MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8 |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 35 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 700mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 650pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装 | Micro8? |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | IRF7601TRPBF-NDIRF7601TRPBFTR |
