- 深圳市捷美创芯电子科技有限公司
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13年
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 8SOIC |
| RoHS | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 数据列表 | SI7686DP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | TrenchFET® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 9.5 毫欧 @ 13.8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1220pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 37.9W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? SO-8 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK? SO-8 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SI7686DP-T1-E3TR |
