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深圳市众达安科技有限公司
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产品分类
供应Z2301低压MOSFET,Z2301深圳现货，Z2301价格
产品详细说明
高密度单元设计低RDS（ON），电压控制的小信号开关可靠耐用.
这些P沟道增强型场效应晶体管都采用了高密度，DMOS技术.
漏 源电压VDSS：-20 V的
栅源电压VGS：±1.8 V
漏极电流（连续） ID：-3.2
漏极电流（脉冲） IDP：-15
功耗:1.25W
工作温度:-55 ~ 150°C
储藏温度:-55~150°C
MOSFET几种典型驱动电路:
目前主要采用图腾柱驱动，不少IC内部也是这结构，这种推动可精确控制上升下降时间，再就是变压器驱动，只要达到灌、吸输入电容电荷的目的就行，根据不同的电路拓扑自己选择驱动。这个做不好会烧管的，不同的负荷状态下，驱动电路的取值也不一样，建议参考部分书，或者找现成的驱动IC，模块化设计电路，成功率高，研发速度快.
