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Z4606采用了先进的沟槽技术MOSFET，以提供优良的RDS（ON）和低门负责。互补的MOSFET可用于形成一个层次转向高侧开关，并为一系列其他应用程序。

Z4606产品综述
N-Channel                             P-Channel
VDS= 30V                              -30V
ID= 6A (VGS=20V)               -6A (VGS=-20V)
RDS(ON)                                RDS(ON)
< 30m
(VGS=10V)           < 50m
(VGS=-10V)
< 42m
(VGS=4.5V)          < 63m
(VGS=-4.5V

MOSFET和IGBT是什么意思？
MOSFET：金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。
IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。