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Z2302低压MOSFET这N沟道增强型功率FET生产的高密度，DMOS的沟槽技术，这是特别用来最大限度地减少通态电阻。该设备特别适用于低电压应用便携式设备，电源管理和其他电池供电的电路，低功耗需要在一个非常小外形表面贴装封装。
优良的热和EL ectrical能力。

Z2302低压MOSFET参数：

VDS                                          20V
ID (at VGS=12 V)                    3.2A
RDS(ON) (at VGS=4.5V)     < 75mW
RDS(ON) (at VGS =2.5V)    < 90mW

IGBT、GTO、GTR与MOSFET的驱动电路有什么特点？
GBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗；关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。