6N140A/883B  密封型低顺向电流宽 Vcc 高增益光电耦合器

6N140A/883B 为采用带有鍍金引腳的 16-pin 陶瓷 DIP 封装的高可靠性 Class H 四通道密封型光电耦合器，提供有浸焊引脚和其他多种引脚形式选择，详细信息请查看数据表。

这个产品可以在整个军用温度范围下工作和储存，并提供有完全通过 MIL-PRF-38534 Class K 测试，或相对应 DSCC SMD Class H (83024) 或 Class K (5962-98002) 产品， 器件采用 MIL-PRF-38534 认证生产线制造和测试，Class H 和 Class K 版本并名列 DSCC 混合微电路合格制造商列表 QML-38534 中。

每个通道包含有通过光学耦合到内置高增益光子检测器的 GaAsP 发光二极管，高增益输出级电路拥有集电极开路输出，带来比传统光达灵顿光电耦合器更低的饱和电压和更高的信号速度。芯片工艺的浅深度和小结设计带来比传统光晶体管耦合器更佳的抗辐射能力。

电源电压可低达 2.0V 而不影响参数性能，这些器件在输入电流仅 0.5mA 时具有 300% 的 CTR，使它们非常适合低输入电流应用，如 MOS、CMOS、低功耗逻辑接口或长线接收器。兼容高电压 CMOS 逻辑系统可通过指定 18V 时的 Icch 和 Ioh 得到确保。

这个裸芯片的封装型式有单、双或四通道 8-pin 和 16-pin DIP 直插型封装、16-pin 表面贴装 DIP 扁平封装和 20 接点无引线陶瓷芯片载体 (LCCC) 选择，多数器件提供有多种引脚型式和渡层选择，详细信息请查看数据表。

由于数据表中所列出每个器件的通道都使用相同电气特性的芯片，包括发射器和检测器，因此几乎所有产品的最大绝对规格、建议工作条件、电气规格和性能特性等几乎完全相同，如有基于封装变化和限制造成的部分例外会予以标示。另外，所有器件也使用相同的封装组装工序和材料，这样的相似性可以带来由其中一个产品所取得数据可以代表其他产品性能作为可靠性和某些有限幅射测试结果。

• 高可靠性，四通道 16-pin DIP 封装
• Avago 产品型号和 DSCC 标准微电路图纸双标志
• -55°C 到 +125°C 性能保证
• MIL-PRF-38534 Class H、QML-38534
• 高抗辐射
• 可靠性数据
• 提供 MIL-PRF-38534 Class K 产品选择
• 提供 5 种密封型封装形式
• 提供单通道和双通道器件选择 (封装可能不同)
• 0.5mA 低输入电流要求
• 顺向电流 I_F = 0.5mA 时可达 1500% 高电流传输比 (CTR)
• 典型 0.11V 低输出饱和电压
• 1,500Vdc 耐压