深圳市科盛元电子科技有限公司 （非本站正式会员）

特点

•电源电压2.70V〜3.60V

•组织- 存储单元阵列（1G +32M）×8位- 数据寄存器（2K +64）×8位

•自动编程和擦除- 程序：（2K + 64）字节- 块擦除（128K + 4K）字节

•读操作- 尺寸：（2K + 64）字节- 随机阅读：25μs（最大）- 串行接口：为25ns（最小）

* K9NBG08U5A：为50ns（最小）

•快速的写周期时间- 页编程时间为200μs（典型值）- 块擦除时间为1.5ms（典型值）

•命令/地址/数据复用I / O端口

•硬件数据保护- 编程/擦除锁定在电源转换

•可靠的CMOS浮动门技术- 耐力：100K编程/擦除周期（与1bit/512Byte

ECC）- 数据保存：10年

•命令式操作

•智能复制回与内部1bit/528Byte的EDC

•独特的ID，用于版权保护的

•封装：

- K9K8G08U0A-PCB0/PIB0

48 - 引脚TSOP I（12×20 / 0.5毫米间距）

- K9WAG08U1A-PCB0/PIB0

48 - 引脚TSOP I（12×20 / 0.5毫米间距）

- K9WAG08U1A-ICB0/IIB0

52 - 引脚TLGA（17/12×1.0 mm间距）

- K9NBG08U5A-PCB0/PIB0

48 - 引脚TSOP I（12×20 / 0.5毫米间距）

概述

K9K8G08U0A提供1G×8位，是一个8G位的备用256M位的NAND快闪记忆体。它的NAND电池提供最具有成本效益的溶液的固态应用市场。一种程序，操作可在典型的为200μs（2K +64）字节，在典型的1.5ms的上（128K +4 K）字节块的页并可以执行擦除操作。在数据寄存器中的数据可以被读出，在25ns的（K9NBG08U5A：为50ns）每字节的周期时间。 I / O引脚作为地址和数据输入/输出的端口以及命令输入。片上写控制器自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在有需要时，内部核查和裕度的数据。即使是写密集型系统可以利用的K9K8G08U0A的扩展的可靠性100K编程/擦除周期提供实时映射出算法ECC（错误纠正代码）。 “K9K8G08U0A是最佳的解决方案，为大的非易失性存储器的应用程序，诸如固态文件存储和其它便携式需要非易失性的应用。超高密度解决方案2的8Gb堆叠两个芯片选择，也可在标准TSOPI包和另一个超高密度解决方案有两个16GB的TSOPI包堆放着四片选也可在TSOPI-DSP。

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