深圳市科盛元电子科技有限公司 （非本站正式会员）

产品特点

■高性能

-85/88纳秒的初始访问

-40 MHz的零等待状态，20 ns的时钟todata输出同步突发读取模式

-25 ns异步页读取模式

-4 - ，8 - ，16 - ，和连续字突发模式缓冲增强工厂编程（BEFP）在5μs/字节（典型值）

-1.8 V缓冲7微秒/字节编程（典型值）

■架构

多级单元技术：密度最高，以的成本

非对称受阻架构

4个32 KB的参数块：顶部或

底部配置128字节的主块

■电压和功率

VCC（核心）电压：1.7 V - 2.0 V的VCCQ（I / O）电压：1.7 V - 3.6 V待机电流：55μA（典型值）为256兆4字同步读取电流：在40 MHz 13 mA（典型值）

■质量和可靠性

工作温度：-40°C至+85°C。1个千兆SCSP为-30°C至+85°C

100,000擦除周期，每块ETOX™第八工艺技术（130纳米）

■安全

一时间可编程寄存器：

•64个不同的工厂设备标识符位

•64个用户可编程OTP位

•其他2048个用户可编程OTP位可选的OTP主阵列中的空间：

•4x32KB参数块+ 3x128KB主块（顶部或底部的配置）绝对的写保护：VPP = VSS

电源转换擦除/编程锁定，个人零延迟块锁定，个人块锁定式

■软件

20微秒（典型值）计划暂停，20微秒（典型值）擦除暂停，英特尔®闪存数据集成优化

基本命令集和扩展命令，设置兼容，通用闪存接口能力

■密度和封装

64/128/256-Mbit密度的56引脚TSOP封装

64/128/256/512-Mbit密度64球英特尔®简易BGA封装

-64/128/256/512-Mbit的1-Gbit密度英特尔®QUAD + SCSP

16位宽的数据总线英特尔StrataFlash®嵌入式存储器（P30）产品是最新一代的英特尔

的StrataFlash®存储器器件。通过提供64兆位的1-Gbit密度，P30设备带来了可靠的，2位每单元存储技术，嵌入式闪存细分市场。其优势包括更高的密度在更小的空间内，高速接口，成本的每比特的NOR的移动设备，并支持代码和数据存储。其特点包括高性能synchronousburst读模式下，快速异步访问时间，低功耗，灵活的安全选项，和三工业标准的封装选择。P30产品系列采用英特尔®130纳米ETOX™第八工艺技术。

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