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STP165N10F4是一个N沟道建成的增强型功率MOSFET，意法半导体STripFET和DeepGATE制造技术是一个新的栅结构技术，该产品是专为最大限度地减少电阻。

技术参数：

VDSS： 100 V
RDS(on)：< 5.5 mΩ（max）
ID： 120 A

特点：

N沟道增强模式
100％的额定雪崩
低栅极电荷
非常低的电阻
封装：TO-220

应用：

开关应用

Symbol	Parameter	Value	Unit
VDS	Drain-source voltage (VGS = 0)	100	V
VGS	Gate- source voltage	± 20	V
ID	Drain current (continuous) at TC = 25 °C	120	A
ID	Drain current (continuous) at TC = 100 °C	110	A
IDM	Drain current (pulsed)	480	A
PTOT(1)	Total dissipation at TC = 25 °C	315	W
	Derating factor	2.1	W/°C
EAS(2)	Single pulse avalanche energy	500	mJ
Tstg	Storage temperature	- 55 to 150	°C
Tj	Max. operating junction temperature	150	°C

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