深圳市捷美创芯电子科技有限公司
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13年
供应CY7C1021DV33-10ZSXI芯片手册, CY7C1021DV33-10ZSXI电路, CY7C1021DV33-10ZSXI概率分布函数
- 产品价格：
- 电议/ 1pcs
- 厂 家：
- CY
- 封 装：
- TSSOP
- 批 号：
- 1140+
- 数 量：
- 5000
-
- 点此询价
产品咨询直线：0755-82760193
产品详细说明
CY7C1021DV33-10ZSXI 产品描述
1兆位（64K×16）静态RAM
工作温度范围
- 工业级：-40℃至85℃
- 汽车-A -40°C至85°C间
- 汽车E：-40°C至125°C的
•引脚和功能兼容与CY7C1021CV33
•高速
- TAA = 10纳秒
•低有功功率
- 为ICC = 60毫安，10纳秒
•低待机功耗CMOS
- ISB2 = 3毫安
•2.0V数据保留
•自动断电，当取消
•最佳速度/功耗CMOS
•独立控制上下位
•可用在无铅44引脚400百万广泛模压SOJ，
44针TSOP II和48焊球VFBGA包
功能描述[1]
CY7C1021DV33是一种高性能的CMOS静态
RAM的组织由16位为65,536字。这个装置有
自动断电功能，显著降低
功耗时取消。
写入设备是通过采取芯片启用
（CE）和写使能（我们）投入低。如果低字节启用
（竹叶）为低，然后从I / O引脚的数据（通过I/O7 I/O0），是
写入地址引脚（A0指定的位置
通过A15）。如果启用高字节（BHE）为低，然后数据
从I / O引脚（I/O8通过I/O15）被写入到的位置
上指定的地址引脚（A0-A15）。
从设备读通过芯片实现
启用（CE）和输出启用（OE）低而迫使
写使能（我们）高。如果字节的低启动（竹叶）为低，
然后从内存位置的数据指定的地址
引脚出现I/O0到I/O7。如果启用高字节（BHE）
低，从内存数据，然后将出现在I/O8到I/O15。见
在此数据表的结束为一个完整的真值表
说明读取和写入模式。
被放置在一个输入/输出引脚（通过I/O15 I/O0）
高阻抗状态时，该设备被取消（CE认证
高），输出被禁用（OE高），BHE的和BLE
被禁用（BHE的，竹叶高），或写操作过程中
（CE低，和WE低）。
CY7C1021DV33是在无铅44引脚400-MIL
宽模压SOJ，44针TSOP II和48焊球VFBGA封装
包。
64K x 16
RAM阵列
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