深圳市尤尼达斯电子有限公司 （非本站正式会员）

符号 最大的P沟道 单位 V DS V V GS V 我 DM Ţ Ĵ ，T STG °C 符号 设备 典型 最大单位 N-CH 48 62.5°C / W N-CH 74 110°C / W ŕ θJL N-CH 35 50 °C / W P-CH 48 62.5°C / W P-CH 74 110°C / W ŕ θJL P-CH 35 50 °C / W 最大结对铅 Ç 稳态 最大结点到环境 一 T≤10秒 ŕ θJA 最大结点到环境 一 稳态 -20 Ţ 一 = 70°C 功耗 Ţ 一 = 25°C P ð 稳态 结温和存储温度范围 一 连续漏极 当前 一 Ţ 一 = 25°C 我 ð Ţ 一 = 70°C 脉冲漏电流 乙 W 6 5 20 2 1.28 -4 -5 2 1.28 绝对最大额定值T 一 = 25°C除非另有说明 参数 最大n沟道 40 -40 ±20 漏源电压 ±20 栅极-源极电压 热特性：n-沟道和p-沟道 -55到150 -55到150 最大结对铅 Ç 稳态 参数 最大结点到环境 一 T≤10秒 ŕ θJA 最大结点到环境 一 AO4614A 互补增强型场效应晶体管 特点 n沟道型p-沟道 V DS （V）= 40V-40V 我 ð = 6A（V GS = 10V），5A（V GS =-10V） ŕ DS（ON） ŕ DS（ON） <31mΩ（V GS = 10V）<45mΩ（V GS =-10V） <45mΩ（V GS = 4.5V）<63mΩ（V GS =-4.5V） 概述 AO4614A采用先进的Trench 技术MOSFET，可提供出色的 ŕ DS（ON） 和低栅极电荷。 “ 可以使用互补的MOSFET 在H-桥，逆变器等 应用标准 产品AO4614A 是Pb-free（符合ROHS＆索尼259 规格）类别  分离式半导体产品
家庭  场效应晶体管-阵列
系列  -
FET型  N和P沟道
FET特点 逻辑电平门
漏极至源极电压（VDSS）  40V
电流 - 连续漏极（Id）@ 25°C  6A，5A
开态Rds（最大）@ Id，VGS  31毫欧@ 6A，10V
的Vgs（th）（最大）@ Id  3V @250μA
闸电荷（Qg）@ VGS  8.3nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的  404pF @ 20V
功率 - 最大  2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳  8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）
供应商设备封装  8-SOIC
包装 剪切带（CT）

原装现货，自己库存，可先看货

深圳市尤尼达斯电子有限公司
联系人：张小姐

Q     Q：2212726989
联系电话：0755-83741532/13631663762
传  真：0755-82813792
M S N:jialing20111@hotmail.com
网  址：Http：//www.dwtbj.com
地  址：（公司）深圳市福田区福虹路华强花园C座13C//（门市）新亚洲一期3B020室