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深圳国芯威科技有限公司
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供应K4S561632J现货销售K4S561632J
- 产品价格：
- 特价/ 1pcs
欢迎来电咨询/ 1k
优势现货/ 10k
- 厂 家：
- SAMSUNG
- 封 装：
- TSOP54
- 批 号：
- 11+
- 数 量：
- 9600
产品咨询直线：0755-29676185
产品详细说明
符号
V
中
, V
输出
V
DD
, V
DDQ
T
STG
P
D
I
OS
值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
1
50
单位
V
V
°C
W
mA
8.0绝对最大额定值
参数
引脚上的电压相对要V
SS
电压上V
DD
供应相对要V
SS
储藏温度
功耗
短电路电流
注意:
如果超过“绝对最大额定值”,可能会发生永久性设备损坏.
功能操作应限制在推荐运行条件.
高于推荐电压长时间的暴露可能会影响器件的可靠性.
9.0 DC工作条件
推荐工作条件（参考V的电压
SS
= 0V, T
A
= 0到70°C)
参数
电源电压
输入逻辑高电压
输入逻辑低电压
输出逻辑高电压
输出逻辑低电压
输入漏电流的
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
V
羟基
V
OL
I
LI
Min
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
Typ
3.3
3.0
0
-
-
-
Max
3.6
V
DD
+0.3
0.8
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
羟基
= -2mA
I
OL
= 2mA
3
注意
注:
1. V
IH
（最大）=“5.6V AC.过冲电压的持续时间是
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟）=“-2.0V AC.冲电压的持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
中
≤
V
DDQ
.
输入漏电流包括漏Hi-Z输出为三态输出的所有双向缓冲器.
10.0电容
针
时钟
RAS, CAS,我们,CS, CKE, DQM
地址
(x4 : DQ
0
~ DQ
3
), (x8 : DQ
0
~ DQ
7
), (x16 : DQ
0
~ DQ
15
)
C
CLK
C
IN
C
ADD
C
OUT
(V
DD
= 3.3V, T
A
= 23°C, f = 1MHz, V
楼盘
=1.4V
±
200 mV)
符号
Min
2.5
2.5
2.5
4.0
Max
3.5
3.8
3.8
6.0
单位
pF
pF
pF
pF
11.0 DC的特点(x4, x8)
参数
经营电流
（一组积极）
预充电在待机电流
掉电模式
符号
I
CC1
I
CC2
P
mA
1
I
CC2
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值）,tCC =
∞
I
CC2
N
mA
预充电在待机电流
非掉电模式
CKE
≥
V
IH
（分钟）,CLK
≤
V
IL
（最大值）,tCC =
∞
I
CC2
NS
输入信号稳定
I
CC3
P
CKE
≤
V
IL
（最大值）,tCC = 10ns
CKE
≥
V
IH
（分钟）,CS
≥
V
IH
（分钟）,tCC = 10ns
输入信号期间20ns改变一次
CKE
≥
V
IH
（分钟）,CLK
≤
V
IL
（最大值）,tCC =
∞
输入信号稳定
IO = 0 mA
页突发
4banks活性炭.
tCCD = 2CLKs
tRC
≥
tRC（分钟）
CKE
≤
0.2V
C
L
I
CC3
PS CKE & CLK
≤
V
IL
（最大值）,tCC =
∞
I
CC3
N
I
CC3
NS
在主动待机电流
掉电模式
在主动待机电流
非掉电模式
（一组积极）
经营电流
（突发模式）
刷新电流
自刷新电流
I
CC4
110
mA
1
I
CC5
I
CC6
160
3
1.5
mA
mA
mA
2
3
4
注:
输出开放1.测量.
2.刷新周期是64ms.
3. K4S5604(08)32J-UC
4. K4S5604(08)32J-UL
5.除非另有注意到,输入摆幅水平是CMOS(V的的
IH
/V
IL
=V
DDQ
/V
SSQ
).