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供应美国IPS FTD02N60C,封装 TO-220 FTD02N60C,场效应管 FTD02N60C

  • 供应美国IPS FTD02N60C,封装 TO-220   FTD02N60C,场效应管 FTD02N60C
产品价格:
000/ 1pcs
厂 家:
IPS
封 装:
TO-220
批 号:
10+ 11+
数 量:
5000
 
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产品咨询直线:0755-23816639

产品详细说明

型号:FTD02N60C,

品牌:IPS

封装:TO-220

参数:(600V,2A).

批号:10+  11+

数量:5000

 

场效应管工作原理:

  场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的ID,用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很  场效应管大,根据漏极-源极间所加VDS的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。
  在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次,VGS向负的方向变化,让VGS=VGS(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。

 

 

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