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供应H27U1G8F2BTR-BI.原装现货,热卖~H27U1G8F2BTR-BI

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产品价格:
1/ 1pcs
1/ 10pcs
1/ 100pcs
1/ 1k
1/ 10k
交易说明:
深圳原装现货,可开17%增值税票
厂 家:
Hynix
封 装:
TSOP
批 号:
09+
数 量:
10000
 
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产品咨询直线:0755-83782829

产品详细说明

技术参数:
制造厂商:HYNIX海力士                    产品类别:NAND FLASH
工作电压:2.7V-3.6V                       工作温度:-40~85摄氏度
存储介质类别:SLC单管芯 大数据块
I/O接口位宽: *8BIT                         存储密度:1GBITS=128MB
损坏区块:包含坏块                         芯片版本:第三代芯片
芯片特征:1片选+1状态;顺序行读取禁止    
封装类型:tsop                               封装材料: 无铅、无卤封装
包装:

NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。
NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制 成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项 处理,将导致高故障率。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据,必须先擦除后写入,因此擦除操作是闪存的基本操作。