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美国国家半导体公司 LM723/LM723C 电压调节器概述 LM723/LM723C 是一种电压调节器，起初设计是为了串联电压调节器的应用。本身， 它将输出电流为 150 mA；但外部晶体管可以被添加到提供所需的任何负载电流。该电路具 有非常低的待机漏电流，并提供了无论是直线或折返电流限制。 该 LM723/LM723C 也是有用的范围广泛的其他应用，如分流调节器，电流调节器、温 度控制器。 LM723C 与 LM723 是相同的， 它们的差别在于 LM723 的温度范围是-55 ~ +125℃， 而 LM723C 是 0 ~ +70℃。 特性 1，无需外部晶体管就能输出 150mA 的电流。 2，输出电流超过 10A 可以通过外接晶体管来获得。 3，最大输入电压为 40V。 4，输出电压可在 2 ~ 37 V 调节。 5，可以被用来作为线性或开关型稳压器来使用。 连接图 等效电路* *是指金属罐封装 典型应用 图 1：为低电压调节器（Vout = 2 ~ 7V） 温度漂移。 典型值 输出电压调节 线性调节（△VIN = 3V） 负载调节（△IL = 50mA） 5V 0.5mV 1.5mV 绝对最大额定值（注 1）如果用于军事/航空设备，请联系国家半导体销售办事处/分销商，购买可用规格。 （十条） 从 V+ ~ V- (50ms) 脉冲电压 50V 从 V+ ~ V-连续电压 输入输出电压差 最大放大器的输入电压（输入） 最大输入电压（Differential 微分） Vz 的电流 Vref 的电流 金属管型封装的内部功耗（注 2） Cavity DIP(注 2) Molded DIP（注 2） 工作温度范围： LM723 LM723C 保存温度范围 金属罐封装： Molded DIP 引线温度（焊接，4 秒。最大。 ） 密封封装 塑料封装 静电耐压 （人体模型在 100pF 电容和 1.5kΩ电阻） 40V 40V 8.5V 5V 25mA 15mA 800mW 900mW 600mW -55 ~ +150℃ 0 ~ +70℃ -65 ~ +150℃ -55 ~ +150℃ 300℃ 260℃ 1200V 电气特性（注 3）（注 10） LM723 参量 条件 Min 线路调节 VIN = 12V to VIN = 15V -55℃ ≤TA≤ +125℃ 0℃ ≤TA≤ +70℃ VIN = 12V to VIN = 40V LM723 单位 Max 0.1 0.3 0.3 Min Typ 0.01 Max 0.1 %Vout %Vout %Vout %Vout %Vout %Vout 0.6 %Vout Typ 0.01 0.02 负载调节 IL = 1 mA to IL = 50 mA ?55°C ≤ TA ≤+125°C 0°C ≤TA ≤ +70°C 0.2 0.15 0.6 0.1 0.03 0.5 0.2 0.03 纹波抑制 f = 50 Hz to 10 kHz Cref = 0 f = 50 Hz to 10 kHz, Cref = 5 ?F 74 74 dB 86 平均温度系 数下的输出 电压（注 8） 短路电流限 制 参考电压 输出噪声电 压 BW = 100 ~10kHZ, Cref = 0 BW = 100 ~ 10KHz, Cref = 5uf Rsc = 10Ω,Vout = 0 ?55°C ≤TA ≤ +125°C 0°C ≤TA ≤ +70°C 86 0.015 0.003 0.015 dB %/℃ %/℃ 0.002 65 65 mA 6.95 7.15 86 7.35 6.80 7.15 86 7.50 V uVrms 2.5 长期稳定性 待机漏电流 输入电压范 围 输出电压范 围 输入输出电 压差 θJA θJA Molded DIP IL = 0, VIN = 30V 2.5 0.05 3.5 40 9.5 1.7 4.0 40 uVrms %/1000hrs 0.05 1.7 9.5 mA V 2.0 37 2.0 37 V 3.0 38 3.0 38 V 105 150 ℃/W ℃/W Cavity DIP θJA θJA θJC H10C 板安装在静态空气 中 H10C 板安装在 400 个低 频/最小空气流量 165 66 22 165 66 22 ℃/W ℃/W ℃/W 注 1：“绝对最大额定值”表明，超过这个限度损坏设备可能发生。工作额定值表明改设备的 一般值，不代表某个特定的器件的性能界限。 注 2：见降额曲线的最大功率超过 25°C 注 3：除非另有说明，Ta=25℃，Vin = V+ = VC = 12V,V- = 0,Vout = 5V,IL = 1mA,RSC = 0, C1 = 100pF, Cref = 0 和 分频器阻抗所看到的误差放大器≤10kΩ 如图 1 所示。 线路和负载 条件规格提供了芯片温度恒定的条件。温度漂移，必须考虑到分开的高散热条件。 注 4：L1 是 40 转的 20#漆包铜线绕在 Ferroxcube P36/22-3B7 上，空气间隙 0.009 注 5：括号内的数字可被用来，如 R1/R2 用在放大器的输入接反的情况下。 注 6：取代 R1/R2 数字分频器如图 13 所示。 注 7：V+和 Vcc 必须连接到一个 3V 或者更大的电压上。 注 8：金属型封装 Vz 是必须的，6.2V 的齐纳二极管应该连接在 Vout 上。 注 9：保证关联到其他测试。 注 10：军用规格，都遵循上表中的最大最小限制。LM723E,H 和 J 也可以作为军用标准采 购。 典型性能特性 表二。输出电压公式输出从+2 ~ +7 V 输出从+4 ~ +250 V 电流限制 （数据：1,4,5,6,9,12） （数据：7） Ilimit=Vsense/Rsc Vout=[Vref × R2 (R1 +R2)] Vout = [Vref/2 × (R2-R1)/R1]; R3 = R4 输出从+7 ~ +37V 输出从-6 ~ -250V 折返电流限制 （数字 2,4,5,6,9,12） （数字 3,8,10） Iknee = [Vout·R3/Rsc·R4 + Vout = [Vref × (R1 + R2)/R2] Vout = [(Vref/2)×(R1+R2)/R1]； Vsense·(R3+R4)/Rsc·R4] R3 = R4 Ishort ckt = [Vsense/Rsc × (R3+R4)/R4] 典型应用： 示意图：