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产品详细说明

IGBT的串并联

A、 并联目的是增大使用的工作电流,但器件要匹配,每块Vce之差 < 0.3V,还要降流使用,对600V的降10%Ic,1200-1400V的降15%Ic,1700V的降20%Ic,这组值指≥200A的模块,并要取饱和压降相等或接近的模块才行。栅控电路要分开,除静态均流外,还有动态均流问题,并使温度相接近,以免影响电流的均衡分配,因IGBT是负阻特性的器件。
B、 串联的目的是增高使用的工作电压,其要求比并联更高,主要是静态均压及动态均压问题,尤其是动态均压有一定难度。成都佳灵公司提出的容性母板技术(1+N)只串联动态电压箝位均压方式已处于工业实验阶段。若动态均压不佳,要造成串联臂各器件上的Vce电压不等,造成一个过压影响同一臂一串电击穿。
C、 总之IGBT的串并联应尽量避免,不要以低压小电流器件,通过串并联企图解决高电压大电流,这样做法往往失得其反,而器件增多可靠性更差,电路亦复杂化等,在不得而已的条件下,要慎重。目今单个IGBT的电压或电流基本能满足用户的需要,随着时代发展电路的改进,将会有更高电压,更大电流的功率器问世,这是必然的。