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AM29F040B
4兆位（512 K x 8位）
CMOS 5.0伏只，统一部门快闪记忆体
特色鲜明
•5.0 V±10％的读取和写入操作
- 减少系统级电源要求
•0.32微米制程技术制造
- 0.5微米AM29F040设备兼容
•高性能
- 访问时间为55 ns的快速
•低功耗
- 20 mA典型有效的读电流
- 30 mA（典型值）的编程/擦除电流
- 1μA典型待机电流（标准访问
时间到主动模式）
•灵活的部门架构
- 8统一的64 KB的扇区
- 在任何组合的扇区可以被擦除
- 支持整片擦除
- 扇区保护功能：
硬件方法的锁定，以防止行业
在该部门的任何程序或擦除操作
•嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms，并擦除整个芯片或任何
指定的部门相结合
- 嵌入式程序算法自动
在指定的地址写入和校验字节
•最少1,000,000次编程/擦除周期，每
部门保证
•20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
•封装选项
- 32引脚PLCC，TSOP，或PDIP
•兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存标准
- 高级无意写保护
•数据＃轮询和切换位
- 提供软件的检测方法
编程或擦除周期完成
•擦除暂停/擦除恢复
- 挂起扇区擦除操作来读取数据
，或程序数据，非删除的扇区，
然后恢复擦除操作AM29F040B是4兆，5.0伏只快闪记忆体
组织了8位，524,288字节。 “
512字节的数据被分成8个行业的64
KB的灵活的擦除能力。的8位
数据显示DQ0-DQ7。 AM29F040B提供
32引脚PLCC，TSOP，和PDIP封装。此设备
被设计成在系统编程与标准
系统5.0伏的VCC电源。 A 12.0伏VPP是不
需要写或擦除操作。该设备可以
也可以在标准EPROM编程器编程。
该器件是采用AMD的0.32微米制程技术
技术，并提供所有的功能和
好处AM29F040，制造
采用0.5微米工艺技术。在addtion，
，AM29F040B有第二个触发位，DQ2，还提供
的能力，计划在擦除挂起模式。
的标准的AM29F040B提供访问55次，
70，90，和120纳秒，允许高速微处理器
操作，无需等待状态。为了消除总线
争的器件具有独立的芯片使能（CE＃），
写使能（WE＃）和输出使能（OE＃）控制。
该设备只需要一个5.0伏的电源
读取和写入功能。内部
产生和调节的电压被提供给
编程和擦除操作。