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长期低价批发IRF7313TRPBF,IRF7313TRPBF分离式半导体产品,量大优惠

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产品价格:
电议/ 1pcs
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3980
 
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产品详细说明

IRF7313TRPBF产品参数:

描述 MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
RoHS 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
标准包装 4,000
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 阵列
系列 HEXFET®
FET 型 2 个 N 沟道(双)
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 29 毫欧 @ 5.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 33nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 650pF @ 25V
功率 - 最大 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装 8-SO
包装 带卷 (TR)
其它名称 IRF7313PBFTR
  IC,即集成电路是采用半导体制作工艺,在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件,并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。它在电路中用字母“IC”(也有用文字符号“N”等)表示。