IR的第五代HEXFET功率场效应管IRF7413采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF7413这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF7413成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
IRF7413的SO-8封装经过用户化的引脚框架改良，增强了热工特性和复合模性能，使IRF7413成为多种电力应用的理想选择。通过诸如此类的改良，在同一应用中可同时使用多个IRF7413器件，且极大节省了电路板空间。IRF7413的SO-8封装专为气相、红外、或波动焊接技术而设计，在典型的PCB安装应用中，功耗将可能超过0.8W。
| IRF7413 参数 |
| IRF7413 基本参数 |
| VDSS |
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30 V |
| ID@25℃ |
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13 A |
| RDS(on)Max |
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11 mΩ |
| IRF7413 其他特性 |
| FET极性 |
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N型沟道 |
| Qg Typ |
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44.0 nC |
| IRF7413 封装与引脚 |
| SO-8 | |
IRF7413 特性
- 第五代工艺
- 超低导通阻抗
- N型沟道 Mosfet
- 贴片安装
- 可选卷带装
- 动态dv/dt率
- 快速转换速率
- 完美的雪崩性能
- 100% RG测试
- 无铅环保
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