FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:20 毫欧 @ 38A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:74A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:180nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :3400pF @ 25V
功率 - 最大:200W
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FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:20 毫欧 @ 38A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:74A
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:180nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :3400pF @ 25V
功率 - 最大:200W
我司是一家专业的集成电路,半导体供应商,产品货源充足,在电子元器件行业里已拥有多年的销售经验,作为专业化的电子元器件供应商我公司长期备有大量现货,货源直接、品种齐全、价格合理。“质量第一、信誉第一”是我公司一贯宗旨,欢迎国内外经销商,厂商前来洽谈合作,共同发展.