- IC型号
联系方式
- 地址：深圳市宝安区民治大道横岭村一区36栋901
- 联系人：姜先生/18028755187/18028755187
- 电话：18028755187/18028755187/18028755187
- 传真：0755-81474923
- 手机：18028755187/18028755187/18028755187
- QQ：
- E-mail：jiangchangzai@126.com
产品分类
友情链接
供应MOS管 IRFB31N20D，IRFB31N20D优势库存
产品详细说明
| 标准包装 | 50 |
|---|---|
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 31A |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） | 82 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 107nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2370pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3.1W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |