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深圳市宏信科达电子有限公司
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产品分类
- ROM（只读存储器）(1)
- 贴片/片式/SMD三极管(1)
- 其他类型电源(1)
- 视频/音频信号连接器(1)
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供应MC33153高性能MOS栅控器件驱动器
- 产品价格：
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￥2.5/ 10pcs
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- 厂 家：
- ON
- 封 装：
- DIP
- 批 号：
- 13+
- 数 量：
- 25420
产品咨询直线：0755-83285561
产品详细说明
MC33153 是一款应用于中大功率的单个IGBT驱动芯片[1]，具有电流保护、器件退饱和保护以及欠压保护功能，同时芯片可以灵活地设定退饱和保护的动作时间。在中大功率场合，MC33153的应用具有越来越广阔的前景。
1 MC33153的结构
MC33153芯片内部结构框图。其主要包括逻辑输入、过流保护、短路保护、退饱和保护、欠电压保护及推挽输出等部分。
芯片的供电较为灵活，既可以采用单电源供电，又可以采用正负电源供电，如果要在单电源的条件下实现IGBT的负电压可靠关断，可以在外围设计分压电路，最后得到VCC(+14.9V)，GND（0V），VE（E -5.1V）。于是驱动电路输出的电平为"1"———+14.9V；"0"———5.1V，保证了IGBT的可靠关断。
MC33153的响应时间在同类产品之中较快，开通延时时间tPLH（信号自Input 传输到Output 的延时）和关断延时时间tPHL较其余各类集成驱动芯片一定有的优势。
芯片的逻辑输入部分采用施特密触发电路，滞环宽度大于0.5V，大大提高电路的抗干扰能力。并且输入逻辑与TTL/CMOS电平兼容，方便了电路设计。
对IGBT 的过流，芯片有两种检测方式，内部通过不同的模块实现。一是过流保护，直接检测流过IGBT的射极电流，这样动作时间最快，不需要IGBT承受大的短路容量，但这种方式只适合于带电流检测输出的IGBT，有很大的局限性；另一种是退饱和保护，利用IGBT导通时工作在饱和区，集电极与射极上电压VCE很小，当IGBT 发生过流时，器件退出饱和区，VCE迅速上升，超过芯片内部阈值，保护得以动作。这两种保护一般只选用其中一种，为使保护正常输出，不使用的保护必须拉为高电平（对脚1），或是通过电容接地（对脚8）。
