标准包装 3,000
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 57 毫欧 @ 3.6A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 850mV @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds -
功率 - 最大 710mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装 带卷 (TR)