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IRF840中文参数 [MOSFET](z)

１）V DS :最大工作电压５００v 　　　　　 .２）V DG(20KΩ)耐压５００Ｖ。　　　　　　　３）Ｖ GS 栅源电压正负２０Ｖ

４）ＩＤ　２５度时８Ａ,１ＯＯ度时５．１Ａ　　　　　　５）ＩＤＭ最大工作电流３２Ａ

６）Ｐtot 温度２５度时峰值功率１２５Ｗ　　　　　　　７）Ｄv/Ｄt 二极管恢复电压峰值斜率3.5v/ns

８）工作温度范围－６５－－－－１５０度　　要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压

VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID　　MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、

漏极(D)和栅极(G)。主要优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，

是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。特点：击穿电压可达1200V，

集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz

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