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供应MX25L1606EM2I-12G旺宏存储芯片全系列16M-BIT CMOS SERIAL FLASH

  • 供应MX25L1606EM2I-12G旺宏存储芯片全系列16M-BIT CMOS SERIAL FLASH
产品价格:
0.001/ 1pcs
交易说明:
92个/管,MX25L1606EM2I-12G(SOP8)台湾旺宏代理量大面议
配送说明:
①快递代收②柜台取货③量大送货上门④淘宝交易⑤量大价优MX25L1606EM2I-12G(SOP8)
厂 家:
台湾旺宏
封 装:
SOP8
批 号:
2014
数 量:
98000
 
点此询价

产品咨询直线:0755-83678020

产品详细说明

深圳市华正源电子有限公司
型号:MX25L1606EM2I-12G
属性:16Mbit SOP8 200mil
封装:SOP-8
包装:92pcs/管
年份:最新年份
台湾旺宏MXIC授权代理!

16M-BIT [x 1 / x 2] CMOS SERIAL FLASH

特点
MX25L1606EM2I-12G
***单电源工作
---2.7到3.6伏读取,擦除和编程操作
***串行外设接口兼容----模式0和模式3
***16,777,216 x 1位结构或8,388,608×2位(双输出模式)结构
***512等份,每个4K字节
---任何部门可以单独擦除
32***平等块,每个64K字节
---任何块可以单独擦除
***编程能力
---字节基地
---页面基地(256字节)
***闭锁保护,以从100mA-1V到Vcc+1 V

性能
MX25L1606EM2I-12G
***高性能
---快速存取时间:86MHz串行时钟
---串行的双输出模式的时钟:80MHz时
---快速的程序时间:1.4ms之(typ.)和5ms的(最大)/页
---字节编程时间:9US(典型值)
---快速擦除时间:60毫秒(典型值)/扇区; 0.7秒(典型值)/块
***低功耗
---低有效的读电流:25mA(最大)在86MHz
---低电平有效的编程电流:20mA(最大)
---低电平有效擦除电流:20mA(最大)
---低待机电流:25uA的(最大)
---深度掉电模式5UA(典型值)
***100,000次擦除/编程
*** 20年的数据保留

软件特性
MX25L1606EM2I-12G
***输入数据格式
---1个字节的命令码
***高级安全功能
---块锁保护
该BP3-BP0状态位定义的区域的大小为软件的保护,防止编程和擦除指令
---其他512位担保OTP的唯一标识符
***自动擦除和自动程序算法
---自动擦除和在选定部门的数据验证
---自动程序和通过内部算法,自动倍的编程脉冲宽度(任何页面进行编程应该在页擦除状态在前)验证在选定的页面数据
***状态寄存器功能
***电子识别
--- JEDEC的1个字节的制造商ID和2字节的设备ID
--- RES命令1字节设备ID