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产品介绍：

1. DW01 概述

        DW01内置高精度电压检测电路和延迟电路，是用于单节锂离子/锂聚合物可再充电电池
的保护 IC。
        本IC适合于对1节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。
 

2.  特点

        DW01+具备如下特点：

      1）高精度电压检测电路
            锂电池保护MOSFET:
            过充电检测电压    4.30V                  精度±50mV
            过充电释放电压    4.10V                  精度±50mV
            过放电检测电压    2.40V                  精度±100mV
            过放电释放电压    3.00V                  精度±100mV
            放电过流检测电压  150mV              精度±30mV
            负载短路检测电压  0.85V（固定）精度±300mV

      2）各延迟时间由内部电路设置（不需外接电容)
            过充电检测延迟时间                         典型值100ms
            过放电检测延迟时间                         典型值50ms
            放电过流检测延迟时间                     典型值10ms

      3）低耗电流
            工作模式        典型值3.0μA ，最大值6.0μA（VDD=3.9V）
            休眠模式        最大值0.1μA（VDD=2.0V）

      4）连接充电器的端子采用高耐压设计（CS端子和OC端子，绝对最大额定值是20V）

      5）工作温度范围： -40℃～+85℃

      6）小型封装：   SOT-23-6

3.应用:

     1） 1节锂离子可再充电电池组
     2） 1节锂聚合物可再充电电池组

8205A参数：

          低导通电阻的RDS（ON）=27mΩ最大值。（V GS =4.5V，ID= 6A）
          导通电阻RDS（ON），= 36mΩ最大值。（VGS= 2.5V，编号= 5A）

          封装形式：SOT-23-6（6脚）                               

                              TSSOP-8（8脚）

          先进的功率MOSFET利用先进的加工技术，以实现低电阻，非常高效和符合成本效益的设备，最适合锂离子电池的充电和放电开关。